Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы типа КТ315 и КТ315-1. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты, непосредственно применяются в радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для техники гражданского назначения и для поставки на экспорт. Транзисторы КТ315 и КТ315-1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзистор КТ315 изготавливается в корпусе КТ-13. В последствии КТ315 стал выпускаться в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную «1» в обозначении, например КТ315Г1. Корпус надежно предохраняет кристалл транзистора от механических и химических повреждений. Транзисторы KT3I5H и КТ315Н1 предназначены для применения в цветном телевидении. Транзисторы KT315P и КТ315Р1 предназначены для применения в видеомагнитофоне «Электроника — ВМ». Транзисторы изготавливают в климатическом исполнении УХЛ и в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

Транзистор КТ315 выпускался предприятиями: «Электроприбор» г. Фрязино, «Квазар» г. Киев, «Континент» г. Зеленодольск, «Кварцит» г. Орджоникидзе, ПО «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, НИИПП г. Томск, ПО «Электроника» г. Воронеж, в 1970 г. их производство также было передано в Польшу на предприятие Unitra CEMI.

В результате переговоров в 1970 году Воронежским объединением «Электроника» в плане сотрудничества было передано в Польшу производство транзисторов КТ315. Для этого в Воронеже полностью демонтировали цех, и в кратчайшие сроки вместе с запасом материалов и комплектующих переправили, смонтировали и запустили его в Варшаве. Этот научно производственный центр по электронике, созданный в 1970 году был производителем полупроводников в Польше. Unitra CEMI в конечном итоге обанкротилась в 1990 году, оставив польский рынок микроэлектроники открытым для иностранных компаний. Сайт музей предприятия Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . К концу существования СССР общее количество выпущенных транзисторов КТ315 превысило 7 миллиардов.

Транзистор КТ315 выпускается, по сей день рядом предприятий: ЗАО «Кремний» г. Брянск, СКБ «Элькор» Республика Кабардино-Балкария г. Нальчик, завод НИИПП г. Томск. Транзистор КТ315-1 выпускается: ЗАО «Кремний» г. Брянск, завод «Транзистор» Республика Беларусь г. Минск, АО «Элекс» г. Александров Владимирская область.

Пример обозначения транзисторов КТ315 при заказе и в конструкторской документации другой продукции: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторов КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1 представлены в таблице 1.

Таблица 1 – Краткие технические характеристики транзисторов КТ315 и КТ315-1

Тип	Структура	P К max , P К* т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЭR*max , В	U ЭБО max , В	I К max , мА	I КБО, мкА	h 21э, h 21Э*	C К, пФ	r КЭ нас, Ом	r б, Ом	τ к, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315И1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315И	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Примечание:
1. I КБО – обратный ток коллектора – ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера, измеренный при U КБ = 10 В;
2. I К max – максимально допустимый постоянный ток коллектора;
3. U КBO max – пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе кол- лектора и разомкнутой цепи эмиттера;
4. U ЭБO max – пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора;
5. U КЭR max – пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер;
6. Р К.т max – постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;
7. P К max – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;
8. r б – сопротивление базы;
9. r КЭ нас – сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером;
10. C К – емкость коллекторного перехода, измеренная при U К = 10 В;
11. f гp – граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы общим эмиттером;
12. h 2lэ – коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме мало сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно;
13. h 2lЭ – для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала;
14. τ к – постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Габариты транзистора КТ315

Тип корпуса транзистора КТ-13. Масса одного транзистора не более 0,2 г. Величина растягивающей силы 5 Н (0,5 кгс). Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 1 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки 1 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы должны выдерживать воздействие тепла, возникающего при температуре пайки (260 ± 5) °С в течение 4 секунд. Выводы должны сохранять паяемость в течение 12 месяцев с даты изготовления при соблюдении режимов и правил выполнения пайки, указанных в разделе «Указания по эксплуатации». Транзисторы устойчивы к воздействию спирто-бензиновой смеси (1:1). Транзисторы КТ315 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315 приведены на рисунке 1.

Рисунок 1 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315

Габариты транзистора КТ315-1

Тип корпуса транзистора КТ-26. Масса одного транзистора не более 0,3 г. Минимальное расстояние места изгиба вывода от корпуса – 2 мм (на рисунке обозначено как L1). Температура пайки (235 ± 5) °С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 2 мм, продолжительность пайки (2 ± 0,5) с. Транзисторы КТ315-1 пожаробезопасны. Габаритные размеры транзистора КТ315-1 приведены на рисунке 2.

Рисунок 2 – Маркировка, цоколёвка и габаритные размеры транзистора КТ315-1

Цоколевка транзисторов

Если расположить транзистор КТ315 маркировкой от себя (как показано на рисунке 1) выводами вниз, то левый вывод это база, центральный – коллектор, а правый – эмиттер.

Если расположить транзистор КТ315-1 наоборот маркировкой к себе (как показано на рисунке 2) выводами также вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный – коллектор, а правый – база.

Маркировка транзисторов

Транзистор КТ315. Тип транзистора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы указывалась группа. На корпусе указывается полное название транзистора или только буква, которая сдвинута к левому краю корпуса. Товарный знак завода может не указываться. Дата выпуска ставится в цифровом или кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска). Точка в составе маркировки транзистора указывает на его применяемость – в составе цветного телевидения. Старые же (произведенные до 1971 года) транзисторы КТ315 маркировались буквой, стоящей посередине корпуса. При этом первые выпуски маркировались лишь одной большой буквой, а примерно в 1971 году перешли на привычную двухстрочную. Пример маркировки транзистора КТ315 показан на рисунке 1. Следует также отметить, что транзистор КТ315 был первым массовым транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. Подавляющее большинство транзисторов КТ315 и КТ361 (характеристики такие же, как у КТ315, а проводимость p-n-p) было выпущено в корпусах желтого или красно-оранжевого цветов, значительно реже можно встретить транзисторы розового, зелёного и черного цветов. В маркировку транзисторов предназначенных для продажи помимо буквы обозначающей группу, товарного знака завода и даты изготовления входила и розничная цена, например «ц20к», что означало цена 20 копеек.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистора также указывается в этикетке, а на корпусе указывается полное название транзистора, а также транзисторы могут маркироваться кодовым знаком. Пример маркировки транзистора КТ315-1 приведен на рисунке 2. Маркировка транзистора кодовым знаком приведена в таблице 2.

Таблица 2 – Маркировка транзистора КТ315-1 кодовым знаком

Тип транзистора	Маркировочная метка на срезе боковой поверхности корпуса	Маркировочная метка на торце корпуса
KT315A1	Треугольник зеленого цвета	Точка красного цвета
KT315Б1	Треугольник зеленого цвета	Точка желтого цвета
KT315В1	Треугольник зеленого цвета	Точка зеленого цвета
KT315Г1	Треугольник зеленого цвета	Точка голубого цвета
KT315Д1	Треугольник зеленого цвета	Точка синего цвета
KT315Е1	Треугольник зеленого цвета	Точка белого цвета
KT315Ж1	Треугольник зеленого цвета	Две точки красного цвета
KT315И1	Треугольник зеленого цвета	Две точка желтого цвета
KT315Н1	Треугольник зеленого цвета	Две точки зеленого цвета
KT315Р1	Треугольник зеленого цвета	Две точки голубого цвета

Указания по применению и эксплуатации транзисторов

Основное назначение транзисторов – работа в усилительных каскадах и других схемах радиоэлектронной аппаратуры. Допускается применение транзисторов, изготовленных в обычном климатическом исполнении в аппаратуре, предназначенной для эксплуатации во всех климатических условиях, при покрытии транзисторов непосредственно в аппаратуре лаками (в 3 – 4 слоя) типа УР-231 по ТУ 6-21-14 или ЭП-730 по ГОСТ 20824 с последующей сушкой. Допустимое значение статического потенциала 500 В. Минимально допустимое расстояние от корпуса до места лужения и пайки (по длине вывода) 1 мм для транзистора КТ315 и 2 мм для транзистора КТ315-1. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных (сборочных) операций – одна.

Внешние воздействующие факторы

Механические воздействия по группе 2 таблица 1 в ГОСТ 11630, в том числе:
– синусоидальная вибрация;
– диапазон частот 1-2000 Гц;
– амплитуда ускорения 100 м/с 2 (10g);
– линейное ускорение 1000 м/с 2 (100g).

Климатические воздействия – по ГОСТ 11630, в том числе: повышенная рабочая температура среды 100 °С; пониженная рабочая температура среды минус 60 °С; изменение температуры среды от минус 60 до 100 °С. Для транзисторов КТ315-1 изменение температуры среды от минус 45 до 100 °С

Надежность транзисторов

Интенсивность отказов транзисторов в течение наработки более 3×10 -7 1/ч. Наработка транзисторов t н = 50000 часов. 98-процентный срок сохраняемости транзисторов 12 лет. Упаковка должна обеспечивать защиту транзисторов от зарядов статического электричества.

Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Зарубежные аналоги транзистора КТ315 приведены в таблице 3.

Таблица 3 – Зарубежные аналоги транзистора КТ315

Отечественный транзистор	Зарубежный аналог	Предприятие производитель	Страна производитель
КТ315А	BFP719	Unitra CEMI	Польша
КТ315Б	BFP720	Unitra CEMI	Польша
КТ315В	BFP721	Unitra CEMI	Польша
КТ315Г	BFP722	Unitra CEMI	Польша
КТ315Д	2SC641	Hitachi	Япония
КТ315Е	2N3397	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	2N2711	Sprague electric corp.	США
	BFY37, BFY37i	ITT Intermetall GmbH	Германия
КТ315И	2SC634	New Jersey Semiconductor	США
		Sony	Япония
КТ315Н	2SC633	Sony	Япония
КТ315Р	BFP722	Unitra CEMI	Польша

Зарубежным прототипом транзистора КТ315-1 являются транзисторы 2SC544, 2SC545, 2SC546 предприятие производитель Sanyo Electric, страна производства Япония.

Основные технические характеристики

Основные электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке приведены в таблице 4. Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора приведены в таблице 5. Вольт-амперные характеристики транзисторов КТ315 приведены на рисунках 3 – 8. Зависимости электрических параметров транзисторов КТ315 от режимов и условий их эксплуатации представлены на рисунках 9 – 19.

Таблица 4 – Электрические параметры транзисторов КТ315 при приемке и поставке

Наименование параметра (режим измерения) единицы измерения	Буквенное обозначение	Норма параметра		Температура, °С
		не менее	не более
Граничное напряжение (I C =10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315И КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(I C =20 мA, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (I C =70 мA, I B =3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напряжение насыщения база-эмиттер (I C =20 мА, I B =2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315И	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е,КТ315Ж, КГ315И	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Обратный ток коллектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Обратный ток эмиттера (U EB =5 В) мкА КТ315А – КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315И КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE =10 кОм U CE =25 В), мА, KT3I5A (R BE =10 кОм U CE =20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА КТ315В (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Г (R BE =10 кОм U CE =40 В), мА, КТ315Д (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005
Обратный ток коллектор-эмиттер (R BE =10 кОм U CE =35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, КТ315Ж (U CE =60 В), мА, КТ315И	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Обратный ток коллектор-эмиттер (U CE =20 В), мА, KT3I5Ж (U CE =60 В), мА, KT3I5И	I CES	–	0,1 0,2	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статический коэффициент передачи тока (U CB = 10 В, I E = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТЗ15Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315И КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (U CB = 10 В, I E = 5 мА, f = 100 МГц)	|h 21E |	2,5	–	25
Емкость коллекторного перехода (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблица 5 – Предельно-допустимые режимы эксплуатации транзистора КТ315

Параметр, единица измерения	Обозначение	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315И	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при коротком замыкании в цепи эмиттер-база, В 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустимое постоянное напряжение коллектор-база, В 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимый постоянный ток коллектора, мА 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустимая температура перехода, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примечание:
1. Для всего диапазона рабочих температур.
2. При t атв от минус 60 до 25 °С. При повышении температуры более 25 °С P C max рассчитывается по формуле:

где R t hjα – общее тепловое сопротивление переход-окружающая среда, равное 0,5 °С/мВт.

Рисунок 3 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
Рисунок 4 – Типовая входная характеристика транзисторов КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С Рисунок 5 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И
при t атв = (25±10) °С Рисунок 6 – Типовые выходные характеристики транзисторов типа КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С Рисунок 7 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С Рисунок 8 – Типовые выходные характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С Рисунок 9 – Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 10 – Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от постоянного тока коллектора для транзисторов типа КТ315А – КТ315И, КТ315Н, КТ315Р при I C /I B = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 11 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315И при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 12 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзисторов КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С Рисунок 13 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 14 – Зависимость статического коэффициента передачи тока от постоянного тока эмиттера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С Рисунок 15 – Зависимость модуля коэффициента передачи тока по высокой частоте от постоянного тока эмиттера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С Рисунок 16 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315А Рисунок 17 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от напряжения коллектор-база при I E = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н,КТ315Р Рисунок 18 – Зависимость постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте от тока эмиттера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

Транзистор КТ315 — один из самых массовых отечественных транзисторов, был запущен в производство в 1967 году. Первоначально выпускался в пластиковом корпусе КТ-13.

КТ315 цоколевка

Если расположить КТ315 маркировкой к себе выводами вниз, то левый вывод это эмиттер, центральный — коллектор, а правый — база.

В последствии КТ315 стал выпускаться и в корпусе КТ-26 (зарубежный аналог TO92), транзисторы в этом корпусе получили дополнительную ”1” в обозначении, например КТ315Г1. Цоколевка КТ315 в этом копусе такая же как и в КТ-13.

КТ315 параметры

КТ315 это маломощный кремниевый высокочастотный биполярный транзистор с n-p-n структурой. Имеет комплементарный аналог КТ361 c p-n-p структурой.
Оба этих транзистора предназначались для работы в схемах усилителей как звуковой так промежуточной и высокой частоты.
Но благодаря тому, что характеристики этого транзистора были прорывными, а стоимость ниже существующих германиевых аналогов КТ315 нашел самое широкое применение в отечественной электронной технике.

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером (f гр. ) – 250 МГц .

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (P к max )

• Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е – 0,15 Вт ;
• Для КТ315Ж, И, Н, Р – 0,1 Вт .

Максимально допустимый постоянный ток коллектора (I к max )

• Для КТ315А, Б, В, Г, Д, Е, Н, Р – 100 мА ;
• Для КТ315Ж, И – 50 мА .

Постоянное напряжение база-эмиттер — 6 В .

Основные электрические параметры КТ315 которые зависят от буквы приведены в таблице.

• U кбо — Максимально допустимое напряжение коллектор-база,
• U кэо — Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер,
• h 21э — Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером,
• I кбо — Обратный ток коллектора.

Наимен.	U кбо и U кэо, В	h 21э	I кбо, мкА
КТ315А	25	30-120	≤0,5
КТ315Б	20	50-350	≤0,5
КТ315В	40	30-120	≤0,5
КТ315Г	35	50-350	≤0,5
КТ315Г1	35	100-350	≤0,5
КТ315Д	40	20-90	≤0,6
КТ315Е	35	50-350	≤0,6
КТ315Ж	20	30-250	≤0,01
КТ315И	60	≥30	≤0,1
КТ315Н	20	50-350	≤0,6
КТ315Р	35	150-350	≤0,5

Маркировка транзисторов КТ315 и КТ361

Именно с КТ315 началось кодированное обозначение отечественных транзисторов. Мне попадались КТ315 с полной маркировкой, но гораздо чаще с единственной буквой из названия смещенной чуть левее от центра, справа от буквы был логотип завода выпустившего транзистор. Транзисторы КТ361 тоже маркировались одной буквой, но буква располагалась по центру и слева и справа от неё были тире.

И конечно у КТ315 есть зарубежные аналоги, например: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

КТ315 цоколевка, КТ315 параметры, КТ315 характеристики : 20 комментариев

1. Greg

   Да уж, легендарная рыжая пара! Попытка, завещанная легендарной личностью — а мы, пойдем другим путем. Не удалось, а жаль. Это-ж надо было додуматься, такие неудобные выводы сделать, позволяющие изгиб только в одном направлении: это, наверное, не инженерное, а политическое решение) Но несмотря на это, а может и благодаря этому, да плюс яркий праздничный цвет… самый яркий, антуражный, стильный, брутальный и незабываемый! Я бы дал ему и Оскара и Нобелевку сразу.
   После смены прикида — обыкновенная, посредственная деталь, в ряду тысяч похожих (
   ЗЫ Корпус изменился потому, что производственное оборудование, со временем, заменили на импортное, а их станки на такую конфетку не рассчитаны.

   1. admin Автор записи

      Не в том была беда что выводы формовались только в одной плоскости (например в корпусах TO-247 выводы тоже плоские), а в том что они были широкие (ширина 0,95 мм, толщина 0,2 мм) и расположены близко (зазор 1,55 мм). Разводить плату было очень неудобно — дорожку между выводами не пропустишь, да и сверлить под КТ-13 нужно было сверлом 1,2 мм. Под другие компоненты хватало 1 мм или даже 0,8 мм.
      КТ315 был первым отечественным транзистором изготовленным по эпитаксиально-планарной технологии, потом, через пару десятков лет он уже стал посредственным в ряду более молодых собратьев. И конечно в 80-х вместо КТ315 / КТ361 удобнее было поставить КТ208 / КТ209, КТ502 / КТ503 или КТ3102 / КТ3107 в зависимости от того какие задачи перед транзистором стояли.
      И я сомневаюсь что корпус КТ-13 был отечественным изобретением, вроде как существовали японские детали в таких корпусах, так что скорее всего неудачно переняли чужой опыт…

2. Greg

   Восток дело тонкое… В середине прошлого века шла упорная борьба сверхдержав за перераспределение сфер влияния. Кто-то, Японии — бомбы, а кто-то — технологии. А хитрые японцы, принимали любую помощь и хватали все, что давали… Потом, естественно, выбрали лучшее, а значит, технологичное. Они, люди нетворческие, победила — Техно-Логичность) СССР им не только первый радиозавод построил, но и первый автозавод, к примеру. В дальнейшем, выпускаемые автомобили стали отличаться от наших не меньше радиодеталей. Вопрос приоритетности тут спорный, из-за интернациональной дружбы и совместности тогдашних разработок.

   1. Вова

      СССР зарубеж продавал лицензии на производство КТ315, видимо и японцы тоже купили такую. А в Польшу так вообще целую линию по производству КТ315 из Воронежа отдали. Видимо по программе поддержки стран соц лагеря.

3. Chupacabra

   По популярности с КТ315 может сравниться разве что МП42Б.

   Мне не попадались КТ315 со странными буквами, оказывается это были специализированные транзисторы:

   • КТ315И были предназначены для цепей коммутации сегментов вакуумных люминесцентных индикаторов;
   • КТ315Н были предназначены для применения в цветном телевидении;
   • КТ315Р были предназначены для видеомагнитофонов «Электроника-ВМ».
4. олександр

   Да не удобные выводы, но других транзисторов тогда не было. В последнее время, лет 20, эти транзисторы легкодоступные, бесплатно можно достать. Сгорит не жалко, Для начинающих хорошо подходит. На макетки хорошо припаевать.

5. Root

   Да нормальные у них корпуса. Плоские, можно десятками в один ряд ставить на минимальном расстоянии друг от друга, как транзисторы в ТО-92 никак не поставишь. Актуально, когда их много на плате, например ключи для многосегментных ВЛИ. Ленточные выводы (дань технологичности производства транзисторов) тоже особых неудобств не создают, не вижу острой необходимости отгибать выводы в разные стороны. Не гнем же мы выводы микросхем и трассировке это ничуть не мешает.

   Никогда не задумывался над шириной выводов КТ315. Всегда сверлил все в основном сверлом 0,8 мм и 315_е (которых у меня полулитровая банка, купленная по случаю на рынке) всегда нормально вставали на свои места, без всякого насилия с моей стороны 🙂 Сейчас специально замерил штангелем, ширина выводов 0,8 миллиметра.

   1. Root

      Из любопытного. Читал на каком-то сайте об изготовлении выходного каскада мощного УЗЧ на десятках запараллеленных КТ315 и КТ361. Транзисторы в одну линию боковыми поверхностями друг к другу, и зажимаются между алюминиевыми пластинами с термопастой. Характеристик усилителя не помню, и автор сей конструкции на высокое качество звука не рассчитывал делая УМЗЧ на 315_х как технический курьез.

      Мне не только АЧХ, мне весь этот курьез-маразм трудно себе представить. Не, чтоб прослыть оригинальным, можно и штангенциркулем гвозди забивать, почему бы нет. Но это сложно, дорого, неудобно, некачественно и… оригинальным покажется только идиотам не отличающим эффект от дефекта. Тулить радиаторы транзисторам без термовыводящей площадки глупо не менее, чем сопрягать несколько десятков элементов ради нескольких Ватт мощности. Действительно, маркиз де Садд Янус Франкинштейнович, радиотехнолох.

Виктор

«Сладкая парочка» — 315,361. Столько всего на них перепаяно. Как будто специально для макеток сделаны были своими плоскими выводами.Мне до сих пор тепло становится, когда их в руки беру. Вырос-то во времена дефицита.Лежат в коробочке. Ждут, когда внук подрастет.

mobilandser

Очень много в старой схемотехнике использовались именно транзисторы серий 315 и 361. Кстати и сам на них много всего паял, но вот расположение самых выводов очень не удобно. Я бы поменял коллектор и эмиттером или базой. тогда разводка плат была бы куда более компактной.

1. Greg

   Дак на то он и рыжий, чтоб все было не так, как у большинства) Там и с технологией такого расположения выводов возникают некоторые сложности, Э_Б_К изготовить проще, чем Э_К_Б, но на это пошли почему-то. И ленточный контакт неоправданно широк, что потянуло за собой неоправданное увеличение корпуса… Первый блин? Наш ответ Чемберлену? Несостоявшееся прогнозирование развития? Ложные предпосылки? История умалчивает, а так бы хотелось на патентные и авторские документы взглянуть, но и с этим тайна.

   Насколько я помню в магнитофонах на смену КТ315-КТ361 пришли КТ208-КТ209, КТ502-КТ503 потом КТ3102-КТ3107. Если есть в наличии какие-то из этих транзисторов можно попробовать подобрать по параметрам, конечно результат не гарантирован, да и корпуса у них другие.
   Если не спортивного интереса, чтобы все было как задумывал разработчик колонки, тем более в усилителе все транзисторы погорели, то я бы в колонку вставил бы какую-нибудь современную платку на операционных усилителях.

Митя

На что можно заменить на эти транзы? На какие транзы именно

Kemran

Всем привет у меня проблема с этими транзыми их у нас не купиш их нет как бы а в запасе у меня нет тоже были но я их израсходовал вопрос мой таков а на какие транзы можно поменять 315Би 361б

1. Greg

   Админ уже писал, выше, но повторю, более подробно. Наиболее соответствующая, по большинству параметров, замена паре КТ315/КТ361 — это КТ502/КТ503. Подойдет в большинстве схематических решений, даже без перерасчета задающих и корректирующих цепей. Если схематический упор на ключевую, дискретную обработку сигналов, можно использовать КТ3102/КТ3107, что, зачастую, даже лучше. Вполне подходят и КТ208/КТ209. Но, если использовать в аналоговых схемах усиления, то задающие цепи лучше подкорректировать.

Владимир

В усилителях звука можно ставить МП41А и в пару МП37А вместо КТ361 и соответственно КТ315. Почему с буквой А, напряжение у МП37А 30 Вольт, у других букв ниже 20 Вольт. МП41 можно заменить на МП42, МП25, МП26, у двух последних напряжение 25 и 40 Вольт минимальное, поэтому надо смотреть напряжение источника питания. Обычно 12 или 25 вольт в усилителях старых моделей.

Хоть я и опоздал на день Радио - но о КТ315 я все-же напишу. Этот транзистор видели и паяли многие, но сегодня мы увидим, чем отличаются КТ315 выпущенные в разные годы, какова его конструкция, и сравним его конструкцию с современными зарубежными аналогами.

О производстве

КТ315 - первый транзистор, произведенный по последнему писку моды конца 60-х годов - это планарно-эпитаксиальной транзистор, т.е. коллектор, эмиттер и база изготовляются последовательно на одной пластине кремния: берется пластина кремния, легированная в тип n (это будет коллектор), затем выполняется легирование на некоторую глубину в тип p (это будет база), и затем - сверху еще раз легирование на меньшую глубину в тип n (это будет эмиттер). Далее пластину нужно разрезать на кусочки, и упаковать в пластиковый корпус.

Такой процесс изготовления был намного дешевле сплавной технологии, и позволял получать немыслимые ранее параметры транзистора (в частности, рабочая частота 250-300 МГц).

Следующая новизна, приведшая к удешевлению производства - монтаж кристалла не в металлический корпус, а на металлическую ленту с выводами: кристалл, на нижней стороне которого коллектор припаивался к центральному выводу, а база и эмиттер - подключались привариваемой проволокой. Затем все это заливалось пластиком, лишние детали ленты отрезались - и получался КТ315 таким, каким мы привыкли его видеть.

Пояснения к рисунку справа: а - скрайбирование и разделение пластины на кристаллы с готовыми структурами; б - пайка кристаллов к ленте; в - присоединение вывода; г - обрезка ленты; д - герметизация; е - извлечение из формы; ж - обрезка ленты и разделение диодов/транзисторов; 1 - лента; 2 - кристалл; 3 - вывод кристалла

Серийное производство началось в 1967-1968 годах, для простых смертных цена по началу составляла 4 рубля за транзистор. Но уже в середине 70-х она опустилась до 15-20 копеек, что и сделало его по настоящему доступным транзистором. При зарплате инженера в 120 рублей - можно было купить 600 транзисторов в месяц. К слову, сейчас за условную зарплату инженера в 45тыс рублей можно купить 121"000 транзисторов BC856B, так что транзисторный уровень жизни инженера вырос в 201 раз

Примечательно, что первые приборы, собранные на КТ315 - транзисторные (микросхемы только набирали обороты) «калькуляторы» Электроника ДД и Электроника 68 .

Вот такое собрание обнаружилось у меня:

Те, где отсутствует знак завода изготовителя - это КТ361, pnp вариант. Остальные, с логотипом - КТ315 (даже если «буква по центру»). Примечательно, что во времена плановой экономики, фиксированных цен, и формального отсутствия спекуляции - цену иногда писали прямо на транзисторах.

Что же внутри?

Самый старый транзистор, который у меня нашелся - КТ315А, выпущенный в марте 1978 года.
Видим, что кристалл отломан от пластины далеко не идеально, вокруг транзистора - много неиспользуемого места.

Здесь сам кристалл - это коллектор, в центре, если я не ошибаюсь - кружек базы, и вокруг него - более широкий «пояс» эмиттера. База как-бы подныривает под эмиттер, и выходит с обратной стороны кольца.

Тут сразу видно, что место расходуется гораздо экономнее, кристалл отрезан практически идеально, заметны небольшие не критические дефекты фотолитографии, видимо тут все еще используется контактная фотолитография. Впрочем, для транзисторов этого вполне достаточно.

И наконец, КТ361Г, июль 1984 года.

Сравнение

Если сравнить в масштабе с современным транзистором NXP BC847B , то видно что размер удалось уменьшить еще раза в 2 за счет «оквадрачивания», но сам транзистор принципиально не изменился - тот же коллектор на «дне» кристалла, и приваренные проволокой выводы эмиттера и базы.

Примечательно, что у BC847 ширина/высота кристалла практически равна толщине пластины, это уже практически кремниевый кубик, а не пластинка. Уменьшать площадь дальше затруднительно, по крайней мере без дальнейшего утонения пластины (утонение пластины - написано правильно).

Будущее

Умер ли КТ315? Определенно нет. До сих пор он есть например в прайс-листах Интеграла по 248 Белорусских рублей (~1 Российский рубль), т.е. вероятно все еще в производстве. Конечно, с развитием автоматического монтажа печатных плат ему пришлось уступить дорогу SMD-вариантам, например КТ3129 и КТ3130 и многим другим, в том числе и зарубежным аналогам BC846-BC848, BC856-BC858.

Всем здарова! Так как я к каждой бочке затычка, не могу обойти вниманием столь важную тему!

Выдержка из Википедии с моими дополнениями:
— тип кремниевого биполярного транзистора, n-p-n проводимости, получившего самое широкое распространение в советской радиоэлектронной аппаратуре.
В 1966 году А. И. Шокин (в то время министр электронной промышленности СССР) прочитал в журнале «Electronics» новость, о разработке в США транзистора, технологически приспособленного под массовое производство с использованием метода сборки на непрерывной ленте на магнитных накопительных барабанах. Разработкой транзистора и оборудованием для производства занялся НИИ «Пульсар», Фрязинский полупроводниковый завод и его ОКБ. Уже в 1967 году (!) была выполнена подготовка производства для запуска массового изготовления, а в 1968 году (!) были выпущены первые электронные устройства на базе КТ315.
Так КТ315 стал первым массовым дешёво-ширпотрёбным транзистором с кодовой маркировкой в миниатюрном пластмассовом корпусе КТ-13. На нём в левом верхнем углу (а иногда и в правом вержнем) плоской стороны ставилась буква, обозначающая группу, ниже указывалась дата изготовления (в цировом виде или буквенной шифровке). Также стоял символ предприятия-изготовителя.
Разработка КТ315 была отмечена в 1973 г. Государственной премией СССР.
Через несколько лет в таком же корпусе КТ-13 стали выпускать транзистор с p-n-p проводимостью — КТ361. Для отличия от КТ315 буква, обозначающая группу, ставилась посередине верхней части на плоской стороне корпуса, также её заключали в «тире».

Вот из моих запасов:

Открыть в новом окне. Размер 1600х1200 (для обоев)

Также радует их цветовое разнообразие:

Начиная с тёмно-оранжевого и заканчивая чёрными)))

Причём КТ315 у меня есть аж 1994 года выпуска.

В иллюстрации расположенной ниже я привожу изображение самого транзистора (в данном случае слева КТ315Г, справа КТ361Г) и условное графическое отображение на принципиальных электронных схемах биполярных транзисторов обоих проводимостей.
Также указана цоколёвка (она у них одинакова), а на графическом изображении указаны выводы транзисторов - К оллектор, Б аза, Э миттер.

Чуть ли не на каждой плате отечественного производства (читай производства некогда бывшего СССР) использовались эти дешёвые, маломощные транзисторы. Выпаяв их, тогдашние радиолюбители с успехом использовали этих трёхногих друзей в своих поделках. Как показывает практика, практически всегда они были исправны. Но всё же иногда попадаются и «убитые» (один переход пробит/закорочен - электрическое сопротивление = 0, или находится в обрыве - электрическое сопротивление = бесконечности). Также редко попадался и заводской брак (совершенно новый транзистор был «мёртв»), и маркировка из разряда «наладчик автоматических линий на производстве дядя Ваня перед запуском очередной партии транзисторов на «штамповку» хряпнул для восстановления сил 100-150 гр. »:)

Попросту неясно, то ли слева буква на транзисторе, то ли справа. Встречались транзисторы с маркировкой из разряда «буква не слева, ни справа, ни посередине».))))

Для борьбы с этими бедами на помощь нам приходит любой исправный прибор для проверки PN-переходов. С его помощью мы можем произвести простейшую проверку транзисторов. Как мы знаем биполярные транзисторы структуры NPN и PNP можно условно (и только условно! Никакие два отдельных диода НИКОГДА не заменят биполярный транзистор!) представить в виде одиночных PN-переходов. Возвращаемся к иллюстрации расположенной выше и наблюдаем в нижнем, левом углу отображённый исключительно «для проверки прибором» эквивалент NPN транзистора КТ315 в виде двух диодов VD1, VD2.
Поскольку КТ361 транзистор противоположной проводимости - PNP, то у диодов в его эквивалентной схеме просто меняется полярность (иллюстрация снизу, справа).
Перейдём к практике - проверим на исправность наш любимый КТ315. Берём мультиметр какой под руку попадётся.
Один из моих тестеров:

Включаем. Тестер с автоматическим выбором пределов измерений, но это нам не помешает:)
2 - устанавливаем переключатель в режим «прозвонки», измерения полупроводников, измерения электрического сопротивления.
3 - кнопкой ручного выбора выставляем режим «проверки полупроводников»
1 - слева на ЖК-индикаторе высвечивается условное графическое отображение диода.
Из рисунка выше видно, что у транзисторов NPN (коим и является наш КТ315) при измерении База-Эмиттер и База-Коллектор измерительный прибор должен показать наличие PN-перехода (обычного кремниевого диода в открытом состоянии в данном случае). Если же щуп тестера с отрицательным потенциалом (у всех нормальных китайских тестеров он чёрного цвета) присоединить к базе транзистора, а щуп с положительным потенциалом (стандартно - чёрного цвета) к эмиттеру или коллектору (что соответствует проверке эмиттер-база и коллектор-база) то через условные диоды потечёт ничтожно мизерный ток (ток обратной утечки, обычно микроамперы), который прибор не отобразит, т.е диоды будут в закрытом состоянии - их сопротивление равно бесконечности. Пробуем:

Проверка база-эмиттер. Прибор показывает практически стандартное падение напряжения на кремниевом диоде = 0,7В; при практически стандартном токе для мультиметров.

Проверка база-эмиттер. Опять же согласно рисунку проверки транзисторов видим то же падение напряжения = 0,7В на таком же PN-переходе.
Вывод - при прямом включении оба перехода абсолютно исправны.
Если бы прибор показывал падение напряжения близкое к нулевому или в режиме «прозвонки» тестер пищал - это сигнализировало бы о коротком замыкании в каком-то из проверяемом переходе. Если бы прибор показывал бесконечное падение напряжения или бесконечное сопротивление - это сигнализировало бы об обрыве в данном измеряемом переходе.
Ножки эмиттер - коллектор также не должны «звониться» ни в одном из направлений.

Теперь проверим на исправность PNP-транзистор, в нашем случае КТ361.
Из того же вышеприведённого рисунка (справа, внизу) видно, что у транзисторов этой проводимости имеются PN-переходы эмиттер-база и коллектор-база (как я говорил с точностью до наоборот структуре NPN-транзистора - меняются полярности полупроводников).
Проверяем:

На PN-переходе эмиттер-база падение 0,7В. Далее:

На коллектор-база также 0,7В. Ни короткого замыкания ни обрыва ни в одном из переходов нет. Диагноз - транзистор исправен. Бегом паять!

Стих о КТ315 (lurkmore.ru/КТ315)
Тебя создали для ВЧ,
Но паяли даже в УНЧ.
Ты следил за напряжением в БП,
И сам питался от ИП.
Ты работал в ГВЧ и ГНЧ,
Тебя сажали даже в УПЧ.
Ты хороший генератор,
Усилитель, коммутатор.
Ты стоишь копейки,
Но пришли на смену тебе микросхемки.

Чтобы решить в существовавших условиях проблемы создания электронной промышленности практически с нуля и без участия мировой кооперации, нужно было продумать четкую программу с комплексным подходом, основанную на сочетании глубокого понимания научных и технических проблем электроники с неменее глубоким знанием законов промышленного производства. И такая программа превращения электронной промышленности СССР в одну из наиболее мощных отраслей народного хозяйства была выношена, выстрадана и разработана министром и его сподвижниками. В результате ее выполнения Советский Союз за период с 1960 по 1990 гг. вышел на третье место в мире по производству электронных компонентов (а по отдельным видам и на второе и даже первое). Единственной в мире страной, имевшей возможность полностью обеспечивать все современные виды оружия собственной элементной базой, был Советский Союз.
К началу 90-х годов суммарный объем выпуска транзисторов КТ315 на четырех заводах отрасли составил около 7 миллиардов штук, сотни миллионов было поставлено на экспорт, лицензия на технологию производства и комплект оборудования были проданы за рубеж.

Вот и сказка закончилась, спасибо за внимание,
Ваш :)

Любите КТ-шки, и помните поговорку: «без КТ - ни туды и ни сюды».))))

Пожалуй, нет какого-то более или менее сложного электронного устройства, произведенного в СССР на протяжении семидесятых, восьмидесятых и девяностых годов, в схеме которого не использовался бы транзистор КТ315. Не утратил популярности он и поныне.

Причин для такой распространенности этого несколько. Во-первых, его качество. Благодаря ленточно-конвейерному способу, являвшемуся в конце шестидесятых революционным, себестоимость производства удалось снизить до минимума при очень хороших технических показателях. Отсюда и второе достоинство - доступная цена, позволяющая использовать транзисторы КТ315 в массовой бытовой и производственной электронике, а также применять для радиолюбительских устройств.

В обозначении использована буква К, означающая «кремниевый», как и большинство полупроводниковых приборов, изготавливаемых с тех времен. Цифра «3» означает, что транзистор КТ315 относится к группе широкополосных приборов небольшой мощности.

Пластиковый корпус не предполагал высокой мощности, но был дешев.

Выпускался транзистор КТ315 в двух вариантах, плоском (оранжевый или желтый) и цилиндрическом (черный).

Для того чтобы удобнее было определять, как его монтировать, на его «лицевой» стороне в плоской версии выполнен скос, коллектор - в середине, база - слева, коллектор - справа.

Черный транзистор имел плоский срез, если расположить транзистор им к себе, то эмиттер оказывался справа, коллектор - слева, а база - посередине.

Маркировка состояла из буквы, в зависимости от допустимого напряжения питания, от 15 до 60 Вольт. От литеры зависит и мощность, она может достигать 150 мВт, и это при микроскопических по тем временам размерах - ширина - семь, высота - шесть, а толщина - менее трех миллиметров.

Транзистор КТ315 - высокочастотный, этим объясняется широта его применения. до 250 мГц гарантирует его устойчивую работу в радиосхемах приемников и передатчиков, а также усилителях диапазона.

Проводимость - обратная, n-p-n. Для пары при использовании двухтактной схемы усиления создан КТ361, с прямой проводимостью. Внешне эти «близнецы-братья» практически не отличаются, только наличие двух черных рисок указывает на p-n-p проводимость. Еще вариант маркировки, буква расположена точно посередине корпуса, а не с краю.

При всех своих достоинствах, транзистор КТ315 обладает и недостатком. Его выводы плоские, тонкие, и очень легко отламываются, поэтому монтаж следует производить очень осторожно. Впрочем, даже испортив деталь, многие радиолюбители умудрялись починить ее, подпилив немного корпус, и «присоплив» проволочку, хотя это и трудно, да и смысла особого не было.

Корпус настолько своеобразен, что точно указывает на советское происхождение КТ315. Аналог ему найти можно, например, ВС546В или 2N9014 - из импорта, КТ503, КТ342 или КТ3102 - из наших транзисторов, но рекордная дешевизна лишает смысла такие ухищрения.

Выпущены миллиарды КТ315, и, хотя в наше время существуют микросхемы, в которых встроены десятки и сотни таких полупроводниковых приборов, иногда их все же используют для сборки несложных вспомогательных схем.